2SD1155 - описание и поиск аналогов

 

2SD1155. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1155

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: SPECIAL

 Аналоги (замена) для 2SD1155

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1155 даташит

 8.1. Size:83K  sanyo
2sd1153.pdfpdf_icon

2SD1155

Ordering number 828D PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Tranasistors 2SB865/2SD1153 Drivers Applications Applications Package Dimensions Relay drivers, hammer drivers, lamp drivers, motor unit mm drivers. 2006A [2SB865/2SD1153] Features High DC current gain (4000 or more). Large current capacity and wide ASO. Low saturation voltage. EIAJ SC-51 B Base

 8.2. Size:77K  sanyo
2sd1159.pdfpdf_icon

2SD1155

Ordering number EN837E NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD1159 TV Horizontal Deflection Output, High-Current Switching Applications Features Package Dimensions Capable of efficient drive with small internal loss due unit mm to excellent tf. 2010C [2SD1159] 10.2 4.5 3.6 5.1 1.3 1.2 1 Base 0.8 0.4 2 Collector 1 2 3 3 Emitter JEDEC TO-220AB 2.55 2.

 8.3. Size:97K  fuji
2sd1157.pdfpdf_icon

2SD1155

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 8.4. Size:126K  fuji
2sd1158.pdfpdf_icon

2SD1155

Другие транзисторы: 2SD1148R, 2SD1149, 2SD1150, 2SD1151, 2SD1152, 2SD1153, 2SD1153A, 2SD1154, BC549, 2SD1156, 2SD1157, 2SD1158, 2SD1159, 2SD116, 2SD1160, 2SD1160O, 2SD1160Y

 

 

 

 

↑ Back to Top
.