Справочник транзисторов. 2SD117

 

Биполярный транзистор 2SD117 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD117
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD117 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:69K  wingshing
 2sd1175.pdf pdf_icon

2SD117

NPN TRIPLE DIFFUSED2SD1175 PLANAR SILICON TRANSISTORCOLOR TV HORIZONTAL OUTPUTAPPLICATIONS (Damper Diode BUILT IN) High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) TO-3 High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1500 V Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Coll

 0.2. Size:196K  inchange semiconductor
 2sd1170.pdf pdf_icon

2SD117

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1170DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current Gain100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDriver for solenoid,motor and general purpose applic

 0.3. Size:198K  inchange semiconductor
 2sd1175.pdf pdf_icon

2SD117

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1175DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 6.0V(Max.)@ I = 5.0ACE(sat) CBuilt-in Damper DiodeWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal defl

 0.4. Size:234K  inchange semiconductor
 2sd1172.pdf pdf_icon

2SD117

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1172DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 4.0V(Max.)@ I = 2.5ACE(sat) CBuilt-in Damper DiodeWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal defl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD1163 , 2SD1163A , 2SD1164 , 2SD1165 , 2SD1165A , 2SD1166 , 2SD1168 , 2SD1169 , BC547 , 2SD1170 , 2SD1171 , 2SD1172 , 2SD1173 , 2SD1174 , 2SD1175 , 2SD1176 , 2SD1176A .

History: 2SC1668 | BSS79C | SBN13003A | BD545 | UMB6N | SD451 | 3CG4126

 

 
Back to Top

 


 
.