Биполярный транзистор 2SD1312 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1312
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора: SP8
2SD1312 Datasheet (PDF)
2sd1314.pdf
2SD1314 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor) 2SD1314 High Power Switching Applications Unit: mm Motor Control Applications High DC current gain: hFE = 100 (min) (V = 5 V, I = 15 A) CE C Low saturation voltage: V = 2 V (max) (I = 15 A, I = 0.4 A) CE (sat) C B High speed: t = 3 s (max) (I = 15 A) f CMaximum Ratings
2sd1311.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1311DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.)@I = 3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS
2sd1313.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1313DESCRIPTIONHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 350V(Min)(BR)CEOHigh Speed SwitchingLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power amplifier applications.High power switching applications.ABSOLUTE
2sd1314.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1314DESCRIPTIONHigh DC Current Gain:h = 100(Min) @ I = 15AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-:V = 450V (Min)CEO(SUS)Fast Switching SpeedLow Collector-Emitter Saturation Voltage-:V = 2.0V (Max) @ I = 15ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable o
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050