2SD1407O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1407O

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SD1407O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1407O даташит

 7.1. Size:131K  toshiba
 2sd1407a.pdf pdf_icon

2SD1407O

2SD1407A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD1407A Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit mm High breakdown voltage VCEO = 100 V Low collector saturation voltage VCE (sat) = 2.0 V (max) Complementary to 2SB1016A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 100 V Col

 7.2. Size:69K  wingshing
 2sd1407.pdf pdf_icon

2SD1407O

 7.3. Size:210K  inchange semiconductor
 2sd1407.pdf pdf_icon

2SD1407O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1407 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = 2.0V(Max)@ I = 4A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V (Min) (BR)CEO Complement to Type 2SB1016 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1405V, 2SD1406, 2SD1406G, 2SD1406GR, 2SD1406O, 2SD1406Y, 2SD1407, 2SD1407G, MPSA42, 2SD1407R, 2SD1407Y, 2SD1408, 2SD1408O, 2SD1408R, 2SD1408Y, 2SD1409, 2SD1409O