Биполярный транзистор 2SD1411 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1411
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: ISO220
2SD1411 Datasheet (PDF)
1.1. 2sd1411a.pdf 
Size:216K _toshiba
1.2. 2sd1411.pdf Size:184K _toshiba
1.3. 2sd1411.pdf Size:171K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1411 DESCRIPTION Ў¤ With TO-220Fa package Ў¤ Low saturation voltage Ў¤ Complementary to 2SB1018 APPLICATIONS Ў¤ Power amplifier applications Ў¤ High current switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25Ўж ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
