2SD1412Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1412Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SD1412Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1412Y даташит

 7.1. Size:184K  toshiba
 2sd1412.pdf pdf_icon

2SD1412Y

 7.2. Size:216K  toshiba
 2sd1412a.pdf pdf_icon

2SD1412Y

 7.3. Size:215K  inchange semiconductor
 2sd1412.pdf pdf_icon

2SD1412Y

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1412 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = 0.4V(Max)@ I = 4A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V (Min) (BR)CEO Complement to Type 2SB1019 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications. Power amplifier applications.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1409Y, 2SD141, 2SD1410, 2SD1411, 2SD1411O, 2SD1411Y, 2SD1412, 2SD1412O, BD139, 2SD1413, 2SD1414, 2SD1415, 2SD1416, 2SD1417, 2SD1418, 2SD1419, 2SD142