2SD1435K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1435K

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SD1435K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1435K даташит

 ..1. Size:320K  hitachi
2sd1435k.pdfpdf_icon

2SD1435K

 7.1. Size:89K  inchange semiconductor
2sd1435.pdfpdf_icon

2SD1435K

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1435 DESCRIPTION With TO-3PN package DARLINGTON High DC current gain Complement to type 2SB1031 APPLICATIONS For low frequency power amplifier and high current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline

 8.1. Size:100K  toshiba
2sd1438.pdfpdf_icon

2SD1435K

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.2. Size:49K  toshiba
2sd1430.pdfpdf_icon

2SD1435K

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

Другие транзисторы: 2SD1429, 2SD143, 2SD1430, 2SD1431, 2SD1432, 2SD1433, 2SD1434, 2SD1435, 2SD718, 2SD1436, 2SD1436K, 2SD1437, 2SD1438, 2SD1439, 2SD144, 2SD1440, 2SD1441