2SD1500 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

2SD1500. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1500

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO220

Аналоги (замена) для 2SD1500

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD1500 даташит

..1. Size:210K inchange semiconductor
2sd1500.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1500 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 1000(Min) @I = 10A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

8.1. Size:65K 1
2sd1507m 2sd1864.pdf pdf_icon