2SD1509 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

2SD1509. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1509

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4000

Корпус транзистора: ISO126

Аналоги (замена) для 2SD1509

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD1509 даташит

..1. Size:184K toshiba
2sd1509.pdf pdf_icon

..2. Size:211K inchange semiconductor
2sd1509.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1509 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 2000(Min)@ I = 1A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max)@ I =1A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purp

8.1. Size:65K 1
2sd1507m 2sd1864.pdf pdf_icon