2SD1589R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1589R  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2SD1589R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1589R даташит

 7.1. Size:65K  no
 2sd1589.pdf pdf_icon

2SD1589R

 7.2. Size:117K  jmnic
 2sd1589.pdf pdf_icon

2SD1589R

Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors 2SD1589 DESCRIPTION With TO-220Fa package DARLINGTON Complement to type 2SB1098 Low speed switching APPLICATIONS Low frequency power amplifier Low speed switching industrial use PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol ABSOLUTE MAXIM

 7.3. Size:217K  inchange semiconductor
 2sd1589.pdf pdf_icon

2SD1589R

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1589 DESCRIPTION Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max) @I = 2A CE(sat) C High DC Current Gain h = 2000(Min) @ I = 2A FE C Complement to Type 2SB1098 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier and low speed switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1586, 2SD1587, 2SD1588, 2SD1588O, 2SD1588R, 2SD1588Y, 2SD1589, 2SD1589O, TIP122, 2SD1589Y, 2SD158F, 2SD159, 2SD1590, 2SD1591, 2SD1592, 2SD1593, 2SD1594