2SD1609C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1609C  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2SD1609C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1609C даташит

 7.1. Size:84K  utc
 2sd1609.pdf pdf_icon

2SD1609C

UTC 2SD1609 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FEATURES * Low frequency high voltage amplifier 1 TO-126 1 EMITTER 2 COLLECTOR 3 BASE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL MIN MAX UNIT Collector-Base Voltage BVCBO 160 V Collector-Emitter Voltage BVCEO 160 V Emitter-Base Voltage BVEBO 5 V Collector Curre

 7.2. Size:32K  hitachi
 2sd1609 2sd1610.pdf pdf_icon

2SD1609C

2SD1609, 2SD1610 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SB1109 and 2SB1110 Outline TO-126 MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Ratings Item Symbol 2SD1609 2SD1610 Unit Collector to base voltage VCBO 160 200 V Collector to emitter voltage VCEO 160 200 V Emitter to base voltage VEB

 7.3. Size:193K  inchange semiconductor
 2sd1609.pdf pdf_icon

2SD1609C

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1609 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 160V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE 100% avalanche tested Complement to Type 2SB1109 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency and high-voltage amplifier applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1603, 2SD1604, 2SD1605, 2SD1606, 2SD1607, 2SD1608, 2SD1609, 2SD1609B, 2SA1837, 2SD1609D, 2SD161, 2SD1610, 2SD1610B, 2SD1610C, 2SD1610D, 2SD1611, 2SD1612