2SD1624T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1624T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2SD1624T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1624T даташит

 ..1. Size:1360K  cn shikues
 2sd1624r 2sd1624s 2sd1624t 2sd1624u.pdf pdf_icon

2SD1624T

 7.1. Size:143K  sanyo
 2sd1624.pdf pdf_icon

2SD1624T

Ordering number 2019A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1124/2SD1624 High Current Switching Applications Applications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, unit mm electrical equipment. 2038 [2SB1124/2SD1624] Features Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed.

 7.2. Size:108K  sanyo
 2sb1124 2sd1624.pdf pdf_icon

2SD1624T

Ordering number ENN2019A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1124/2SD1624 High Current Switching Applications Applications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, unit mm electrical equipment. 2038A [2SB1124/2SD1624] Features 4.5 1.5 1.6 Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast swi

 7.3. Size:357K  onsemi
 2sb1124 2sd1624.pdf pdf_icon

2SD1624T

Ordering number EN2019B 2SB1124/2SD1624 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) ( ) ( ) ( ) 50V, 3A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCP Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment Features Adoption of FBET, MBIT processes Low collector-to-emitter saturation voltage Fast switching speed Large current capacity and wide

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1623, 2SD1623R, 2SD1623S, 2SD1623T, 2SD1623U, 2SD1624, 2SD1624R, 2SD1624S, A42, 2SD1624U, 2SD1625, 2SD1626, 2SD1627, 2SD1628, 2SD1628E, 2SD1628F, 2SD1628G