2SD1650 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1650  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: ISO247

 Аналоги (замена) для 2SD1650

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1650 даташит

 ..1. Size:86K  wingshing
 2sd1650.pdf pdf_icon

2SD1650

2SD1650 SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION Highvoltage,high-speed switching npn transistors in a plastic envelope with integrated efficiency diode, primarily for use in horizontal deflection circuites of colour television receivers QUICK REFERENCE DATA TO-3PML SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT Collector-emitter voltage peak value VBE = 0V VCESM - 1500 V Co

 ..2. Size:85K  jmnic
 2sd1650.pdf pdf_icon

2SD1650

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD1650 DESCRIPTION With TO-3PML package Built-in damper diode High breakdown voltage High speed switching APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT T

 ..3. Size:214K  inchange semiconductor
 2sd1650.pdf pdf_icon

2SD1650

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1650 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Col

 8.1. Size:197K  toshiba
 2sd1658.pdf pdf_icon

2SD1650

2SD1658 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor) 2SD1658 Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Unit mm Switching Applications Power Amplifier Applications High DC current gain hFE = 2000 (min) (V = 2 V, I = 1 A) CE C Low saturation voltage V = 1.5 V (max) (I = 1 A, I = 1 mA) CE (sat) C B Zener diode included between c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1643, 2SD1644, 2SD1645, 2SD1646, 2SD1647, 2SD1648, 2SD1649, 2SD165, TIP31C, 2SD1651, 2SD1652, 2SD1653, 2SD1654, 2SD1655, 2SD1656, 2SD1657, 2SD1658