Биполярный транзистор 2N2279 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2279
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7.6 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: MB13
2N2279 Datasheet (PDF)
2n2270al.pdf
2N2270ALDimensions in mm (inches). 8.51 (0.34)9.40 (0.37)Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)0.89 (0.035)max.38.00 Bipolar NPN Device. (1.5)0.41 (0.016)min.0.53 (0.021)dia.VCEO = 45V 5.08 (0.200)IC = 1.0A typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100)1 3 ca
2n2270.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2270TO-39Metal Can PackageAmplifier TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 VCollector Emitter Voltage, RBE
Другие транзисторы... 2N2271 , 2N2272 , 2N2273 , 2N2274 , 2N2275 , 2N2276 , 2N2277 , 2N2278 , TIP31C , 2N228 , 2N2280 , 2N2281 , 2N2282 , 2N2283 , 2N2284 , 2N2285 , 2N2286 .
