Биполярный транзистор 2SD1801U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1801U
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 280
Корпус транзистора: TO251
2SD1801U Datasheet (PDF)
2sb1201 2sd1801.pdf
Ordering number:ENN2112BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1201/2SD1801High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers,unit:mmelectrical equipment.2045B[2SB1201/2SD1801]Features6.52.35.0 Adoption of FBET, MBIT processes. 0.54 Large current capacity and wide ASO. Low colle
2sd1801.pdf
Ordering number:EN2112BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1201/2SD1801High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers,unit:mmelectrical equipment.2045B[2SB1201/2SD1801]Features Adoption of FBET, MBIT processes. Large current capacity and wide ASO. Low collector-to-emitter saturat
2sb1201 2sd1801.pdf
Ordering number : EN2112C2SB1201/2SD1801Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FAApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit
2sd1801.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD1801TO-252 Unit: mm6.50+0.15-0.15+0.12.30 -0.15.30+0.2 0.50 -0.7-0.2 +0.8 Features Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed.0.127 Complementary to 2SB12010.80+0.1 max-0.12.3 0.60+ 0.1 1 Base- 0.1+0.154.60 -0.152 Collector3 Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Pa
2sd1801.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1801DESCRIPTIONLarge current capacitance and wide ASOSmall and slim package making it easy to make 2SD1801/2SB1201-used set smallerLow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATION
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050