Справочник транзисторов. 2SD1804R

 

Биполярный транзистор 2SD1804R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1804R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO251
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1804R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:158K  sanyo
2sd1804.pdfpdf_icon

2SD1804R

Ordering number:EN2086BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1204/2SD1804High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters, andunit:mmother general high-current switching applications.2045B[2SB1204/2SD1804]Features Low collector-to-emitter saturation voltage. High current and high fT.

 7.2. Size:235K  utc
2sd1804.pdfpdf_icon

2SD1804R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1804 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS 1TO-220 FEATURES * Low collector-to-emitter saturation voltage * High current and high fT 1* Excellent linerarity of hFE. TO-251* Fast switching time * Small and slim package making it easy to make UTC 2SD1804 applied sets smaller. 1TO-252 ORDERING INFORMATIO

 7.3. Size:1057K  kexin
2sd1804.pdfpdf_icon

2SD1804R

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD1804TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage Fast Switching Speed0.127+0.1 High Current And High fT. 0.80-0.1max Complementary to 2SB1204+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154 .60 -0.152 Collector3 Emitter Absol

 7.4. Size:212K  inchange semiconductor
2sd1804.pdfpdf_icon

2SD1804R

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1804DESCRIPTIONExcellent linearity of hFELow Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50 V(BR)CEOFast switching timeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSRelay drivers, high-speed inverters , converters andOther general high current switching appl

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SRC1203S | 2SC5321 | BD230-6

 

 
Back to Top

 


 
.