2SD1857 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1857

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: ATV

 Аналоги (замена) для 2SD1857

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1857 даташит

 ..1. Size:34K  rohm
2sc4132 2sd1857.pdfpdf_icon

2SD1857

2SC4132 / 2SD1857 Transistors Power Transistor (120V, 1.5A) 2SC4132 / 2SD1857 External dimensions (Unit mm) Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) 2) Low collector output capacitance. 2SC4132 4.0 1.0 2.5 0.5 (Typ. 20pF at VCB = 10V) (1) 3) High transition frequency. (fT = 80MHz) (2) 4) Complements the 2SB1236. (3) (1) Base(Gate) (2) Collector(Drain) RO

 ..2. Size:247K  utc
2sd1857.pdfpdf_icon

2SD1857

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1857 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER TRANSISTOR 1 1 FEATURES TO-126 TO-126S * High breakdown voltage.(BV =120V) CEO * Low collector output capacitance.(Typ.20pF at V =10V) CB * High transition frequency.(f =80MHz) T 1 1 TO-92 TO-92NL 1 1 TO-251 SOT-223 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packin

 ..3. Size:746K  blue-rocket-elect
2sd1857.pdfpdf_icon

2SD1857

2SD1857 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM NPN Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features High breakdown voltage ,Low collector output capacitance ,High transition frequency. / Applications , ,

 ..4. Size:206K  inchange semiconductor
2sd1857.pdfpdf_icon

2SD1857

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1857 DESCRIPTION High breakdown voltage. (BV = 120V) CEO Low collector output capacitance. High transition frequency. (fT = 50MHz) Complement to Type 2SB1236 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio amplifier, voltage regulator, and general purpose power amplifier

Другие транзисторы: 2SD185, 2SD1850, 2SD1851, 2SD1852, 2SD1853, 2SD1854, 2SD1855, 2SD1856, 2SD2499, 2SD1858, 2SD1859, 2SD186, 2SD1860, 2SD1861, 2SD1862, 2SD1863, 2SD1864