2SD1862 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD1862 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1862

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: ATV

Аналоги (замена) для 2SD1862

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD1862 даташит

..1. Size:505K 1
2sd1766 2sd1758 2sd1862 2sd1189f 2sd1055 2sd1919 2sd1227m.pdf pdf_icon

..2. Size:170K rohm
2sd1766 2sd1758 2sd1862.pdf pdf_icon

Medium power transistor (32V, 2A) 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Features Dimensions (Unit mm) 1) Low VCE(sat). 2SD1766 2SD1758 VCE(sat) = 0.5V (Typ.) 4.5+0.2 -0.1 (IC/IB = 2A / 0.2A) 2.3+0.2 6.5 0.2 -0.1 1.5+0.2 C0.5 1.6 0.1 -0.1 5.1+0.2 -0.1 0.5 0.1 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 (1) (2) (3) 0.65 0.1 0.75 Structure 0.4+0.1 -0.05 0.9 0.4

..3. Size:151K rohm
2sd1758 2sd1862.pdf pdf_icon

Medium power transistor (32V, 2A) 2SD1758 / 2SD1862 Features Dimensions (Units mm) 1) Low VCE(sat). 2SD1758 2SD1862 VCE(sat) = 0.5V (Typ.) 2.5 0.2 2.3+0.2 6.8 0.2 6.5 0.2 -0.1 (IC/IB = 2A / 0.2A) C0.5 5.1+0.2 -0.1 0.5 0.1 2) Complements the 2SB1182 / 2SB1240 0.65 0.1 0.75 0.65Max. Structure 0.9 0.55 0.1 Epitaxial planar type NPN silicon transistor

8.1. Size:189K 1
2sd1228m 2sd1860.pdf pdf_icon