2SD1920 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1920  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: FTL

 Аналоги (замена) для 2SD1920

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1920 даташит

 ..1. Size:269K  1
2sd1469 2sd1920.pdfpdf_icon

2SD1920

 8.2. Size:342K  1
2sd1787 2sd1921.pdfpdf_icon

2SD1920

 8.3. Size:33K  hitachi
2sd1922.pdfpdf_icon

2SD1920

2SD1922 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier Outline TO-92MOD 2 3 ID 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SD1922 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 25 V Collector to emitter voltage VCEO 25 V Emitter to base voltage VEBO 6V Collector current IC 0.8 A Collector peak current ic (peak)

Другие транзисторы: 2SD1913S, 2SD1914, 2SD1915, 2SD1916, 2SD1917, 2SD1918, 2SD1919, 2SD192, TIP31, 2SD1921, 2SD1922, 2SD1923, 2SD1924, 2SD1925, 2SD1926, 2SD1927, 2SD1928