Справочник транзисторов. 2SD1945

 

Биполярный транзистор 2SD1945 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD1945
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SD1945

 

 

2SD1945 Datasheet (PDF)

 8.2. Size:231K  toshiba
2sd1947a.pdf

2SD1945
2SD1945

 8.3. Size:221K  toshiba
2sd1947.pdf

2SD1945
2SD1945

 8.4. Size:83K  sanyo
2sd1940.pdf

2SD1945
2SD1945

Ordering number:EN2533NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SD194085V/6A, AF 25 to 30WOutput ApplicationsFeatures Package Dimensions Micaless package facilitating mounting.unit:mm Wide ASO.2041A[2SD1940]4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 31 : Base2.55 2.552 : Collector3 : Emitter2.55 2.55SANYO : TO-220MLSpecificationsAbsolute Maximum

 8.5. Size:29K  rohm
2sd1944.pdf

2SD1945

 8.6. Size:977K  rohm
2sd1949fra 2sd1484kfra.pdf

2SD1945
2SD1945

Data SheetAEC-Q101 QualifiedMedium Power Transistor (50V,0.5A)2SD1949FRA / 2SD1484KFRA2SD1949 / 2SD1484KFeatures Dimensions (Unit : mm)1) High current.(IC=0.5A)UMT32) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.(SC-70)(1) Emitter(2) Bace(3) CollectorAbsolute maximum rationgs (Ta=25 C)SMT3(SC-59)Parameter Symbol Limits Unit

 8.7. Size:106K  rohm
2sd1949 2sd1949 2sd1484k.pdf

2SD1945
2SD1945

Data SheetMedium Power Transistor (50V,0.5A)MediumPowerTransistor(50V,0.5A)2SD1949 / 2SD1484K2SD19492SD1484KFeatures Dimensions (Unit : mm)1) High current.(IC=0.5A)UMT32) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.(SC-70)(1) Emitter(2) Bace(3) C

 8.8. Size:1672K  rohm
2sd1949 2sd1484k.pdf

2SD1945
2SD1945

2SD1949 / 2SD1484KDatasheetMiddle Power Transistor (50V, 500mA)lOutlinelParameter Value SOT-323 SOT-346VCEO50VIC500mA 2SD1949 2SD1484K(UMT3) (SMT3) lFeatures lInner circuitl l1)High current. (IC=0.5A)2)Low VCE(sat) VCE(sat)400mV at IC=150mA/IB=15

 8.9. Size:213K  inchange semiconductor
2sd1940.pdf

2SD1945
2SD1945

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1940DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 85V(Min.)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF 25~30W output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 8.10. Size:215K  inchange semiconductor
2sd1941.pdf

2SD1945
2SD1945

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1941DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for CTV/character display horizontal deflectionoutput stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Ba

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 

Back to Top