2SD1955 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD1955 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1955 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4000

Корпус транзистора: TO218

Аналоги (замена) для 2SD1955

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD1955 даташит

8.1. Size:74K sanyo
2sd1953.pdf pdf_icon

Ordering number EN2507 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1953 120V/1.5A Driver Applications Applications Package Dimensions Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers. unit mm 2009A Features [2SD1953] 8.0 2.7 Darlington connection. 4.0 High DC current gain. Low dependence of DC current gain on temperature. 3.0 1.6 0.8 0.8 0.6 0.5 1 Emitte

8.2. Size:85K sanyo
2sd1958.pdf pdf_icon

Ordering number EN2549A NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD1958 TV Horizontal Deflection Output High-Current Switching Applications Features Package Dimensions Excellent tf permitting efficient drive with less unit mm internal dissipation. 2041A [2SD1958] 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Base 2.55 2.55 2 Collector 3 Emitter 2.55 2.55

8.3. Size:255K nec
2sd1950.pdf pdf_icon