Биполярный транзистор 2SD200 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD200
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2.5
Корпус транзистора: TO3
2SD200 Datasheet (PDF)
2sd200.pdf
NPN TRIPLE DIFFUSED2SD200 PLANAR SILICON TRANSISTORCOLOR TV HORIZONTAL OUTPUTAPPLICATIONS(No Damper Diode) TO-3 High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1500 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector C
2sd200.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD200DESCRIPTIONHigh Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min.)(BR)CBOLow Collector Saturation Voltage-High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
2sd2000.pdf
Power Transistors2SD2000Silicon NPN triple diffusion planar typeFor power switchingUnit: mm10.0 0.2 4.2 0.2Features5.5 0.2 2.7 0.2High-speed switchingSatisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE 3.1 0.1Large collector power dissipation PCFull-pack package which can be installed to the heat sink withone screw1.3 0.21.4 0.1Absolute Ma
2sd2001.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD2001DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min.)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits of color TVreceivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL
2sd2000.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2000DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOHigh Speed SwitchingGood Linearity of hFEHigh Collector Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050