2SD202 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SD202
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO3
2SD202 Datasheet (PDF)
2sd2028.pdf
Ordering number EN2803 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD2028 Low-Frequency Power Amplifier Applications Features Package Dimensions With Zener diode (11 3V) between collector and unit mm base. 2018B Large current capacity. [2SD2028] Low collector-to-emitter saturation voltage. 0.4 Ultrasmall-sized package permitting the 2SD2028- 0.16 3 applied sets to
2sd2029.pdf
Power Transistors 2SD2029 Silicon NPN triple diffusion planar type For high power amplification Unit mm Complementary to 2SB1347 3.3 0.2 20.0 0.5 5.0 0.3 3.0 Features Satisfactory foward current transfer ratio hFE collector current IC characteristics Wide area of safe operation (ASO) 1.5 High transition frequency fT Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifie
2sd2028.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD2028 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=700mA Collector Emitter Voltage VCEO=8V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage (Note.1) VCBO 8
2sd2024.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2024 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ (V = 3V, I = 2A) FE CE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR
Другие транзисторы... 2SD2012G , 2SD2012Y , 2SD2014 , 2SD2015 , 2SD2016 , 2SD2017 , 2SD2018 , 2SD2019 , 2222A , 2SD2020 , 2SD2021 , 2SD2022 , 2SD2023 , 2SD2024 , 2SD2025 , 2SD2026 , 2SD2027 .
History: 2SC3757 | MUN2130 | KD136 | BD372D-6
History: 2SC3757 | MUN2130 | KD136 | BD372D-6
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139




