2SD2023 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SD2023 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SD2023
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD2023 даташит
2sd2023.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2023 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage V = 1.5V(Max)@I = 2A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO
2sd2028.pdf
Ordering number EN2803 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD2028 Low-Frequency Power Amplifier Applications Features Package Dimensions With Zener diode (11 3V) between collector and unit mm base. 2018B Large current capacity. [2SD2028] Low collector-to-emitter saturation voltage. 0.4 Ultrasmall-sized package permitting the 2SD2028- 0.16 3 applied sets to
2sd2029.pdf
Power Transistors 2SD2029 Silicon NPN triple diffusion planar type For high power amplification Unit mm Complementary to 2SB1347 3.3 0.2 20.0 0.5 5.0 0.3 3.0 Features Satisfactory foward current transfer ratio hFE collector current IC characteristics Wide area of safe operation (ASO) 1.5 High transition frequency fT Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifie
2sd2028.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD2028 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=700mA Collector Emitter Voltage VCEO=8V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage (Note.1) VCBO 8
Другие транзисторы: 2SD2016, 2SD2017, 2SD2018, 2SD2019, 2SD202, 2SD2020, 2SD2021, 2SD2022, 2SD669A, 2SD2024, 2SD2025, 2SD2026, 2SD2027, 2SD2028, 2SD2029, 2SD203, 2SD2030
History: 2N5684G | PMBTA64 | PMBTA92
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g



