Биполярный транзистор 2G376 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2G376
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO1
Другие транзисторы... 2G322 , 2G323 , 2G324 , 2G339 , 2G344 , 2G345 , 2G371 , 2G374 , 9012 , 2G377 , 2G381 , 2G382 , 2G383 , 2G384 , 2G385 , 2G386 , 2G387 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050