2SD2178 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD2178

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SD2178

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2178 даташит

 ..1. Size:87K  panasonic
2sd2178.pdfpdf_icon

2SD2178

Power Transistors 2SD2178 Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency output amplification Unit mm 7.5 0.2 4.5 0.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Large collector current IC 0.65 0.1 0.85 0.1 0.8 C 0.8 C 1.0 0.1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C 0.7 0.1 0.7 0.1 Parameter Symbol Rating Unit 1.15 0.2 1.15 0.2 Collecto

 8.1. Size:74K  sanyo
2sd2176.pdfpdf_icon

2SD2178

Ordering number EN3196 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD2176 Motor Driver Applications Features Package Dimensions Darlington connection. unit mm On-chip Zener diode of 60 10V between collector 2038A and base. [2SD2176] High inductive load handling capability. 4.5 Small-sized package. 1.5 1.6 0.4 0.5 3 2 1 0.4 1.5 3.0 1 Base 0.75 2 Collector

 8.2. Size:53K  rohm
2sd2170.pdfpdf_icon

2SD2178

2SD2170 Transistors Medium Power Transistor +20 (Motor, Relay drive) (90 , 2A) -10 2SD2170 Features External dimensions (Units mm) 1) Built-in zener diode between collector and base. 4.0 2) Zener diode has low dispersion. 1.0 2.5 0.5 3) Strong protection against reverse power surges due to (1) "L" loads. (2) 4) Darlington connection for high DC current gain. (3) (1) Base(Gat

 8.3. Size:61K  rohm
2sd2171.pdfpdf_icon

2SD2178

Другие транзисторы: 2SD216, 2SD2161, 2SD2162, 2SD2163, 2SD216F, 2SD217, 2SD2176, 2SD2177, S8550, 2SD2179, 2SD218, 2SD2180, 2SD2181, 2SD2182, 2SD2183, 2SD2184, 2SD218S