2SD226. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD226
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO66
Аналоги (замена) для 2SD226
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD226 даташит
2sd226.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD226 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a
2sd2261.pdf
Ordering number ENN5311A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD2261 Driver Applications Applications Package Dimensions Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers. unit mm 2038A Features [2SD2261] 4.5 Darlington connection. 1.5 1.6 High DC current gain. DC current gain is less affected by temperature. Small-sized package. 0.4 0.5 3 2 1 0.4 1.
2sd2260 e.pdf
Transistor 2SD2260 Silicon NPN triple diffusion planer type For high breakdown voltage general amplification Unit mm 6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Features High collector breakdown voltage. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 0.65 max. Allowing supply with the radial taping. +0.1 0.45 0.05 2.5 0.5 2.5 0.5 Absolute Maximum Ratings
2sd2266.pdf
Power Transistors 2SD2266 Silicon NPN triple diffusion planar type For power switching Unit mm 5.0 0.1 Features 10.0 0.2 1.0 High-speed switching 90 Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Allowing supply with the radial taping 1.2 0.1 C1.0 2.25 0.2 Absolute Maximum Ratings (TC=25 C) 0.65 0.1 0.35 0.1 1.05 0.1 Parameter Symbol Ratings Unit
Другие транзисторы... 2SD2242 , 2SD2242A , 2SD2248 , 2SD2249 , 2SD2250 , 2SD2253 , 2SD2256 , 2SD2257 , TIP142 , 2SD226A , 2SD226B , 2SD227 , 2SD2271 , 2SD227G , 2SD227O , 2SD227Y , 2SD228 .
History: 2SD226B
History: 2SD226B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10





