2SD2389Y - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SD2389Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15000
Корпус транзистора: TO3P
Аналоги (замена) для 2SD2389Y
2SD2389Y Datasheet (PDF)
2sd2389.pdf

Equivalent circuit CBDarlington 2SD2389(70)ESilicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1559)Application : Audio, Series Regulator and General PurposeExternal Dimensions MT-100(TO3P) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)Symbol 2SD2389 Symbol Conditions 2SD2389 UnitUnit0.24.80.415.6VCBO 160 ICBO VCB
2sd2389.pdf

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2389DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 5000( Min.) @(I = 6A, V = 4V)FE C CELow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max)@ (I = 6A, I = 6mA)CE(sat) C BComplement to Type 2SB1559Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable op
2sd2387.pdf

2SD2387 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor) 2SD2387 Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) Complementary to 2SB1558 Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 140 VCollector-emitter voltage VCEO 140 VEmitter-base voltage VEBO 5 V
2sd2386.pdf

2SD2386 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor) 2SD2386 Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) Complementary to 2SB1557 Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 140 VCollector-emitter voltage VCEO 140 VEmitter-base voltage VEBO 5 V
Другие транзисторы... 2SD2386B , 2SD2386C , 2SD2387 , 2SD2387A , 2SD2387B , 2SD2387C , 2SD2389O , 2SD2389P , 2SC2625 , 2SD2390O , 2SD2390P , 2SD2390Y , 2SD24 , 2SD2401O , 2SD2401P , 2SD2401Y , 2SD241 .
History: IMH5AFRA | 2SC2353 | 2SD2390O | 2SD2387A
History: IMH5AFRA | 2SC2353 | 2SD2390O | 2SD2387A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032