2SD259 - описание и поиск аналогов

 

2SD259. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD259

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 115 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SD259

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD259 даташит

 0.1. Size:250K  toshiba
2sd2599.pdfpdf_icon

2SD259

2SD2599 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SD2599 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV Unit mm High Voltage VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage V = 8 V (Max.) CE (sat) High Speed t = 0.5 s (Typ.) f Bult-in Damper Type Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mold Resin. MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL

 0.2. Size:54K  panasonic
2sd2598.pdfpdf_icon

2SD259

Transistor 2SD2598 Unit mm Silicon NPN epitaxial planer type 2.5 0.1 1.05 darlington 6.9 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 For low-frequency amplification 0.65 max. Features Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap- propriate to the driver circuit of motors and printer bammer hFE +0.1 0.45 0.05 = 4000 to 20000. 2.5 0.5 2.5 0.5 A shunt resist

 0.3. Size:59K  panasonic
2sd2598 e.pdfpdf_icon

2SD259

Transistor 2SD2598 Unit mm Silicon NPN epitaxial planer type 2.5 0.1 1.05 darlington 6.9 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 For low-frequency amplification 0.65 max. Features Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap- propriate to the driver circuit of motors and printer bammer hFE +0.1 0.45 0.05 = 4000 to 20000. 2.5 0.5 2.5 0.5 A shunt resist

 0.4. Size:208K  inchange semiconductor
2sd2593.pdfpdf_icon

2SD259

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2593 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.2 (Max)@ I = 3A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 60 V CBO V Collector-Emitter Voltage 60

Другие транзисторы... 2SD2562O , 2SD2562P , 2SD2562Y , 2SD257 , 2SD258 , 2SD2589O , 2SD2589P , 2SD2589Y , 2N3904 , 2SD26 , 2SD260 , 2SD261 , 2SD261G , 2SD261O , 2SD261R , 2SD261Y , 2SD262 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.