2SD259. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD259
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 115 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO66
Аналоги (замена) для 2SD259
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD259 даташит
2sd2599.pdf
2SD2599 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SD2599 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV Unit mm High Voltage VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage V = 8 V (Max.) CE (sat) High Speed t = 0.5 s (Typ.) f Bult-in Damper Type Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mold Resin. MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL
2sd2598.pdf
Transistor 2SD2598 Unit mm Silicon NPN epitaxial planer type 2.5 0.1 1.05 darlington 6.9 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 For low-frequency amplification 0.65 max. Features Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap- propriate to the driver circuit of motors and printer bammer hFE +0.1 0.45 0.05 = 4000 to 20000. 2.5 0.5 2.5 0.5 A shunt resist
2sd2598 e.pdf
Transistor 2SD2598 Unit mm Silicon NPN epitaxial planer type 2.5 0.1 1.05 darlington 6.9 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 For low-frequency amplification 0.65 max. Features Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap- propriate to the driver circuit of motors and printer bammer hFE +0.1 0.45 0.05 = 4000 to 20000. 2.5 0.5 2.5 0.5 A shunt resist
2sd2593.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2593 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.2 (Max)@ I = 3A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 60 V CBO V Collector-Emitter Voltage 60
Другие транзисторы... 2SD2562O , 2SD2562P , 2SD2562Y , 2SD257 , 2SD258 , 2SD2589O , 2SD2589P , 2SD2589Y , 2N3904 , 2SD26 , 2SD260 , 2SD261 , 2SD261G , 2SD261O , 2SD261R , 2SD261Y , 2SD262 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733



