2SD260 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD260

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD260

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD260 даташит

 0.1. Size:194K  toshiba
2sd2604a.pdfpdf_icon

2SD260

 0.2. Size:178K  toshiba
2sd2604.pdfpdf_icon

2SD260

 0.3. Size:51K  rohm
2sd2607.pdfpdf_icon

2SD260

2SD2607 Transistors Power Transistor (100V, 8A) 2SD2607 External dimensions (Units mm) Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 10.0 4.5 3.2 2.8 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SB1668. 1.2 1.3 0.8 0.75 2.54 2.54 2.6 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) (1) (2) (3) ( ) (1) (2) (3) (1) B

 0.4. Size:338K  blue-rocket-elect
2sd2603.pdfpdf_icon

2SD260

2SD2603(BR3DD2603F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High VCEO, low VCE(sat). / Applications Power out amplifier applications. / Equivalent Circuit

Другие транзисторы: 2SD2562Y, 2SD257, 2SD258, 2SD2589O, 2SD2589P, 2SD2589Y, 2SD259, 2SD26, 2N5551, 2SD261, 2SD261G, 2SD261O, 2SD261R, 2SD261Y, 2SD262, 2SD265, 2SD266