Справочник транзисторов. 2SD265

 

Биполярный транзистор 2SD265 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD265
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD265 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:29K  sanyo
2sd2650.pdfpdf_icon

2SD265

Ordering number : ENN6781A2SD2650NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD2650Color TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeatures Package Dimensions High speed. unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process).[2SD2650] Adoption of MBIT process.5.63.416.03.12.82.0 2.10.90.71 2 31 : Ba

 0.2. Size:31K  sanyo
2sd2658ls.pdfpdf_icon

2SD265

Ordering number : ENN71682SD2658LSNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD2658LSColor TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage (VCBO=1500V).2079D High reliability (Adoption of HVP process).[2SD2658LS] Adoption of MBIT process.10.0 4.53.22.8 On-chip damper diode.0

 0.3. Size:101K  renesas
r07ds0281ej 2sd2655-1.pdfpdf_icon

2SD265

Preliminary Datasheet 2SD2655 R07DS0281EJ0300(Previous: REJ03G0810-0200)Silicon NPN Epitaxial Planer Rev.3.00Low Frequency Power Amplifier Mar 28, 2011Features Small size package: MPAK (SC59A) Large Maximum current: IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) High power dissipation: PC = 800 mW

 0.4. Size:90K  rohm
2sd2653.pdfpdf_icon

2SD265

2SD2653 Transistors Low frequency amplifier 2SD2653 External dimensions (Unit : mm) Application Low frequency amplifier TSMT3Driver 1.0MAX2.90.850.4 0.7( )3 Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) 180mV ( ) ( )1 20.95 0.95at IC = 1A / IB = 50mA 0.161.9(1) Base(2) Emitter Each lead has same dimensions(3) Collector Absolute m

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.