2SD290 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD290

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SD290

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD290 даташит

 0.1. Size:225K  bruckewell
 2sd2908.pdf pdf_icon

2SD290

Low VCE(sat) transistor(80V,0.7A) 2SD2908 FEATURES Pb Low VCE(sat). Lead-free Excellent DC current gain characteristics. Complements the 2SB1386 SOT-89 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code 2SD2908 AHQ/AHR SOT-89 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltag

 0.2. Size:220K  inchange semiconductor
 2sd2901.pdf pdf_icon

2SD290

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2901 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 900V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 9.1. Size:194K  inchange semiconductor
 2sd299.pdf pdf_icon

2SD290

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD299 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Low Collector Saturation Voltage- V = 1.0V(Max.)@ I = 4.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABS

 9.2. Size:180K  inchange semiconductor
 2sd291.pdf pdf_icon

2SD290

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD291 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V(Min) (BR) CEO Collector Power Dissipation- P = 18W @T = 25 C C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD287B, 2SD287C, 2SD288, 2SD288O, 2SD288R, 2SD288Y, 2SD289, 2SD29, MJE340, 2SD291, 2SD291A, 2SD292, 2SD292A, 2SD293, 2SD294, 2SD295, 2SD296