Биполярный транзистор 2SD291A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD291A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO66
2SD291A Datasheet (PDF)
2sd291.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD291DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 40V(Min)(BR) CEOCollector Power Dissipation-: P = 18W @T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMU
2sd2908.pdf
Low VCE(sat) transistor(80V,0.7A) 2SD2908 FEATURES Pb Low VCE(sat). Lead-free Excellent DC current gain characteristics. Complements the 2SB1386 SOT-89ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code 2SD2908 AHQ/AHR SOT-89 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltag
2sd299.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD299DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 4.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits .ABS
2sd2901.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2901DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 900V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
2sd297.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD297DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR) CEOCollector Power Dissipation-: P = 25W @T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMU
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050