Биполярный транзистор 2N2368-51 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N2368-51
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO51
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N2368-51 Datasheet (PDF)
2n2369 2n2369re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N2369/DSwitching Transistors2N2369NPN Silicon*2N2369ACOLLECTOR3*Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER321MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 2203, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 15 VdcTO18 (TO206AA)CollectorEmitter Voltage VCES 40 VdcCollectorBase Voltage
2n2369.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D1252N2369NPN switching transistor1997 Jun 20Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor 2N2369FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V).1 emitter2 baseAPPLICATIO
2n2369a.pdf

2N2369Awww.centralsemi.comNPN SILICON TRANSISTORDESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2369A is an epitaxial planar NPN Silicon Transistor designed for ultra high speed saturated switching applications.MARKING: FULL PART NUMBERTO-18 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCES 40 VCollector-Emitter Voltage VC
p2n2369.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTORS P2N2369TO-92Plastic PackageECBLOW POWER FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 15 VVCBOCollector Base Voltage 40 VC
Другие транзисторы... 2N236 , 2N2360 , 2N2361 , 2N2362 , 2N2363 , 2N2364 , 2N2364A , 2N2368 , TIP31C , 2N2368ACSM , 2N2368AQF , 2N2368S , 2N2369 , 2N2369-46 , 2N2369-51 , 2N2369A , 2N2369ACSM .
History: 2N3399 | NA32YJ | BSP62T1 | 2SC3498 | 2SD317A | 2SA1552T | AM1011-300
History: 2N3399 | NA32YJ | BSP62T1 | 2SC3498 | 2SD317A | 2SA1552T | AM1011-300



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815