2SD322 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD322

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD322

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD322 даташит

 9.1. Size:46K  no
2sd328.pdfpdf_icon

2SD322

 9.2. Size:146K  china
3da325 2sd325.pdfpdf_icon

2SD322

3DA325(2SD325) NPN PCM TC=25 1.75 W ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 71 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 35 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A IEBO VCE=5.0V 1.0 A VBEsat 1.5 IC=1.5A V IB

 9.3. Size:194K  inchange semiconductor
2sd320.pdfpdf_icon

2SD322

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD320 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 230V(Min) (BR) CEO Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 2.0V(Max)@ I = 2A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose

 9.4. Size:213K  inchange semiconductor
2sd325.pdfpdf_icon

2SD322

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD325 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 35V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I = 1.5A CE(sat) C Complement to Type 2SB511 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. Rec

Другие транзисторы: 2SD317, 2SD317A, 2SD318, 2SD318A, 2SD319, 2SD32, 2SD320, 2SD321, 2SC2383, 2SD323, 2SD324, 2SD325, 2SD325C, 2SD325D, 2SD325E, 2SD325F, 2SD326