Справочник транзисторов. 2SD330D

 

Биполярный транзистор 2SD330D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD330D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SD330D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD330D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:33K  sanyo
 2sd330.pdf pdf_icon

2SD330D

Ordering number:397EPNP/NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors2SB514/2SD33050V/2A Low-Frequency Power AmplifierApplicationsFeatures Package Dimensions Especially suited for use in output stage of 10W AFunit:mmPower amplifier.2010C Complementary pair with the 2SB514 and 2SD313.[2SB514/2SD330]JEDEC : TO-220AB 1 : Base( ) : 2SB514EIAJ : SC-46 2 : Collector

 8.2. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd330.pdf pdf_icon

2SD330D

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD330DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 2.0ACE(sat) CComplement to Type 2SB514Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEspecially suited for use in output stage of 10W AF powerampl

 9.1. Size:189K  inchange semiconductor
 2sd331.pdf pdf_icon

2SD330D

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD331DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 2.0ACE(sat) CComplement to Type 2SB515Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEspecially suited for use in output sta

 9.2. Size:197K  inchange semiconductor
 2sd339.pdf pdf_icon

2SD330D

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD339DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 90V(Min)(BR) CEOExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0V(Max)@ I = 7.5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpos

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD325F , 2SD326 , 2SD327 , 2SD328 , 2SD329 , 2SD33 , 2SD330 , 2SD330C , S9018 , 2SD330E , 2SD330F , 2SD331 , 2SD331C , 2SD331D , 2SD331E , 2SD331F , 2SD332 .

 

 
Back to Top

 


 
.