2SD334 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD334

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SD334

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD334 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 2sd334.pdf pdf_icon

2SD334

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD334 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V (Min) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX UNIT V Collector-Base Voltage 110

 9.1. Size:33K  sanyo
 2sd330.pdf pdf_icon

2SD334

Ordering number 397E PNP/NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors 2SB514/2SD330 50V/2A Low-Frequency Power Amplifier Applications Features Package Dimensions Especially suited for use in output stage of 10W AF unit mm Power amplifier. 2010C Complementary pair with the 2SB514 and 2SD313. [2SB514/2SD330] JEDEC TO-220AB 1 Base ( ) 2SB514 EIAJ SC-46 2 Collector

 9.2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sd331.pdf pdf_icon

2SD334

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD331 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I = 2.0A CE(sat) C Complement to Type 2SB515 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Especially suited for use in output sta

 9.3. Size:197K  inchange semiconductor
 2sd339.pdf pdf_icon

2SD334

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD339 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 90V(Min) (BR) CEO Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 7.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpos

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD330E, 2SD330F, 2SD331, 2SD331C, 2SD331D, 2SD331E, 2SD331F, 2SD332, 2N2222, 2SD334A, 2SD335, 2SD336, 2SD338, 2SD338-1, 2SD338-2, 2SD339, 2SD339-1