2SD336 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD336

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

 Аналоги (замена) для 2SD336

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD336 даташит

 9.1. Size:33K  sanyo
 2sd330.pdf pdf_icon

2SD336

Ordering number 397E PNP/NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors 2SB514/2SD330 50V/2A Low-Frequency Power Amplifier Applications Features Package Dimensions Especially suited for use in output stage of 10W AF unit mm Power amplifier. 2010C Complementary pair with the 2SB514 and 2SD313. [2SB514/2SD330] JEDEC TO-220AB 1 Base ( ) 2SB514 EIAJ SC-46 2 Collector

 9.2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sd331.pdf pdf_icon

2SD336

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD331 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I = 2.0A CE(sat) C Complement to Type 2SB515 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Especially suited for use in output sta

 9.3. Size:197K  inchange semiconductor
 2sd339.pdf pdf_icon

2SD336

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD339 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 90V(Min) (BR) CEO Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 7.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpos

 9.4. Size:196K  inchange semiconductor
 2sd338.pdf pdf_icon

2SD336

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD338 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V(Min) (BR) CEO Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD331C, 2SD331D, 2SD331E, 2SD331F, 2SD332, 2SD334, 2SD334A, 2SD335, C1815, 2SD338, 2SD338-1, 2SD338-2, 2SD339, 2SD339-1, 2SD339-2, 2SD34, 2SD340