Справочник транзисторов. 2SD347

 

Биполярный транзистор 2SD347 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD347
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SD347

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD347 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  inchange semiconductor
2sd347.pdfpdf_icon

2SD347

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD347DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 3.0ACE(sat) CFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier a

 9.1. Size:188K  inchange semiconductor
2sd343.pdfpdf_icon

2SD347

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD343DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 40V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 0.6V(Max) @I = 2.0ACE(sat) CFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose appli

 9.2. Size:180K  inchange semiconductor
2sd348.pdfpdf_icon

2SD347

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD348DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers and switching appl

 9.3. Size:188K  inchange semiconductor
2sd345.pdfpdf_icon

2SD347

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD345DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 55V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 0.6V(Max) @I = 2.0ACE(sat) CFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose appli

Другие транзисторы... 2SD340-2 , 2SD341 , 2SD341H , 2SD342 , 2SD343 , 2SD344 , 2SD345 , 2SD346 , 13003 , 2SD348 , 2SD349 , 2SD35 , 2SD350 , 2SD350A , 2SD351 , 2SD352 , 2SD353 .

 

 
Back to Top

 


 
.