2N2369A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2369A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N2369A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2369A даташит

 ..1. Size:524K  central
2n2369a.pdfpdf_icon

2N2369A

2N2369A www.centralsemi.com NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2369A is an epitaxial planar NPN Silicon Transistor designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING FULL PART NUMBER TO-18 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCES 40 V Collector-Emitter Voltage VC

 ..2. Size:66K  microsemi
2n4449 2n2369a.pdfpdf_icon

2N2369A

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

 0.1. Size:250K  cdil
p2n2369a.pdfpdf_icon

2N2369A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company P2N2369A NPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTOR TO - 92 Plastic Package E CB LOW POWER AND HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCEO Collector Emitter Voltage 15 V VCBO Collector Base Voltage 4

 8.1. Size:291K  motorola
2n2369 2n2369re.pdfpdf_icon

2N2369A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N2369/D Switching Transistors 2N2369 NPN Silicon * 2N2369A COLLECTOR 3 *Motorola Preferred Device 2 BASE 1 EMITTER 3 2 1 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit CASE 22 03, STYLE 1 Collector Emitter Voltage VCEO 15 Vdc TO 18 (TO 206AA) Collector Emitter Voltage VCES 40 Vdc Collector Base Voltage

Другие транзисторы: 2N2368, 2N2368-51, 2N2368ACSM, 2N2368AQF, 2N2368S, 2N2369, 2N2369-46, 2N2369-51, A940, 2N2369ACSM, 2N2369ADCSM, 2N2369AQF, 2N2369AUB, 2N2369CSM, 2N236A, 2N236B, 2N237