2SD375. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD375
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 2SD375
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD375 даташит
2sd375.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD375 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in clocked voltage converters and switching applications. ABSOLUTE MAXIMU
2sd371.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD371 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 50W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB531 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO
Другие транзисторы: 2SD369, 2SD37, 2SD370, 2SD371, 2SD372, 2SD373, 2SD373A, 2SD374, D209L, 2SD376, 2SD376A, 2SD377, 2SD378, 2SD379, 2SD38, 2SD380, 2SD380A
History: FMMT3639 | 2SD376 | 2SC5551A | FMG5A | H5609 | FMMT3642 | H558
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022

