2SD423. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD423

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SD423

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD423 даташит

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
 2sd427.pdf pdf_icon

2SD423

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD427 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 80W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB557 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. Recommended for 50W high-fidelity audio f

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd425.pdf pdf_icon

2SD423

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD425 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 140V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 100W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB555 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. Recommended for high-fidelity audio freq

 9.3. Size:116K  inchange semiconductor
 2sd425 2sd426.pdf pdf_icon

2SD423

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD425 2SD426 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SB555/556 High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplifi

 9.4. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd426.pdf pdf_icon

2SD423

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD426 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 100W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB556 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. Recommended for high-fidelity audio freq

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD415, 2SD416, 2SD417, 2SD418, 2SD419, 2SD420, 2SD421, 2SD422, TIP31C, 2SD424, 2SD425, 2SD426, 2SD427, 2SD427S, 2SD428, 2SD429, 2SD43