Справочник транзисторов. 2SD424

 

Биполярный транзистор 2SD424 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD424
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 700 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SD424

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD424 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd424.pdf pdf_icon

2SD424

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD424DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: P = 150W@T = 25C CHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB554Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier ,DC-DC converter and regulatorapplications.ABSOLUTE M

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
 2sd427.pdf pdf_icon

2SD424

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD427DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 80W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB557Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for 50W high-fidelity audio f

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd425.pdf pdf_icon

2SD424

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD425DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB555Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq

 9.3. Size:116K  inchange semiconductor
 2sd425 2sd426.pdf pdf_icon

2SD424

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD425 2SD426 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SB555/556 High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplifi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD416 , 2SD417 , 2SD418 , 2SD419 , 2SD420 , 2SD421 , 2SD422 , 2SD423 , 2SD1047 , 2SD425 , 2SD426 , 2SD427 , 2SD427S , 2SD428 , 2SD429 , 2SD43 , 2SD430 .

 

 
Back to Top

 


 
.