Справочник транзисторов. 2SD427S

 

Биполярный транзистор 2SD427S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD427S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SD427S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD427S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:204K  inchange semiconductor
 2sd427.pdf pdf_icon

2SD427S

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD427DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 80W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB557Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for 50W high-fidelity audio f

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd425.pdf pdf_icon

2SD427S

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD425DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB555Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq

 9.2. Size:116K  inchange semiconductor
 2sd425 2sd426.pdf pdf_icon

2SD427S

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD425 2SD426 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SB555/556 High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplifi

 9.3. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd426.pdf pdf_icon

2SD427S

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD426DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB556Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD420 , 2SD421 , 2SD422 , 2SD423 , 2SD424 , 2SD425 , 2SD426 , 2SD427 , S9014 , 2SD428 , 2SD429 , 2SD43 , 2SD430 , 2SD431 , 2SD432 , 2SD433 , 2SD434 .

 

 
Back to Top

 


 
.