2SD475A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD475A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SD475A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD475A даташит

 9.1. Size:86K  1
2sd474k.pdfpdf_icon

2SD475A

 9.2. Size:173K  nec
2sd471.pdfpdf_icon

2SD475A

 9.3. Size:32K  hitachi
2sd476.pdfpdf_icon

2SD475A

2SD476(K), 2SD476A(K) Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching complementary pair with 2SB566(K) and 2SB566A(K) Outline TO-220AB 1. Base 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Ratings Item Symbol 2SD476(K) 2SD476A(K) Unit Collector to base voltage VCBO 70 70 V Collector to emitter voltage VCEO 50 60 V Emitter to base voltage

 9.4. Size:79K  microelectronics
2sd471 2sb564.pdfpdf_icon

2SD475A

Другие транзисторы: 2SD472, 2SD472H, 2SD473, 2SD473H, 2SD473K, 2SD474, 2SD474K, 2SD475, 2SC2383, 2SD476, 2SD476A, 2SD476AK, 2SD476K, 2SD477, 2SD478, 2SD479, 2SD48