Справочник транзисторов. 2SD5076

 

Биполярный транзистор 2SD5076 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD5076
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TOP3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD5076 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  inchange semiconductor
 2sd5076.pdf pdf_icon

2SD5076

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistors 2SD5076DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: VCBO= 1500V (Min)High Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 8.1. Size:189K  inchange semiconductor
 2sd5072.pdf pdf_icon

2SD5076

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistors 2SD5072DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: VCBO= 1500V (Min)High Switching SpeedHigh ReliabilityBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolour TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 8.2. Size:188K  inchange semiconductor
 2sd5074.pdf pdf_icon

2SD5076

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistors 2SD5074DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: VCBO= 1500V (Min)High Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
 2sd5075.pdf pdf_icon

2SD5076

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistors 2SD5075DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: VCBO= 1500V (Min)High Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: T1655 | AC404 | BCW94KB | FXT553SM | STN3906 | ST4044 | 2N363

 

 
Back to Top

 


 
.