Справочник транзисторов. 2SD531

 

Биполярный транзистор 2SD531 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD531
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 43 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD531 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
 2sd531.pdf pdf_icon

2SD531

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD531DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 90V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0ACE(sat) CWith TO-220C PackageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power ampli

 9.1. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd535.pdf pdf_icon

2SD531

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD535DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 120V(Min)CEO(SUS)Excellent Safe Operating AreaHigh Current CapabilityGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed, high current, high power application

 9.2. Size:196K  inchange semiconductor
 2sd534.pdf pdf_icon

2SD531

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD534DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 110V(Min)CEO(SUS)Excellent Safe Operating AreaHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers , high-speed inverters,converters,andother general high-cur

 9.3. Size:195K  inchange semiconductor
 2sd536.pdf pdf_icon

2SD531

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD536DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V(Min)CEO(SUS)Excellent Safe Operating AreaHigh Current CapabilityLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsDC-DC converters.General

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2N6364 | ZDT1049 | 2SC3110

 

 
Back to Top

 


 
.