2SD531. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD531

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 43 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SD531

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD531 даташит

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
 2sd531.pdf pdf_icon

2SD531

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD531 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0A CE(sat) C With TO-220C Package Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power ampli

 9.1. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd535.pdf pdf_icon

2SD531

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD535 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 120V(Min) CEO(SUS) Excellent Safe Operating Area High Current Capability Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed, high current, high power application

 9.2. Size:196K  inchange semiconductor
 2sd534.pdf pdf_icon

2SD531

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD534 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 110V(Min) CEO(SUS) Excellent Safe Operating Area High Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for relay drivers , high-speed inverters,converters,and other general high-cur

 9.3. Size:195K  inchange semiconductor
 2sd536.pdf pdf_icon

2SD531

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD536 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) Excellent Safe Operating Area High Current Capability Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators DC-DC converters. General

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD526R, 2SD526Y, 2SD528, 2SD528H, 2SD529, 2SD52A, 2SD53, 2SD530, S9013, 2SD531-1, 2SD532, 2SD533, 2SD534, 2SD535, 2SD536, 2SD537, 2SD538