2SD54. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD54

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO36

 Аналоги (замена) для 2SD54

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD54 даташит

 0.1. Size:45K  sanyo
 2sd545.pdf pdf_icon

2SD54

 0.2. Size:204K  inchange semiconductor
 2sd546.pdf pdf_icon

2SD54

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD546 DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = 1A C Power Dissipation-P =30W @T = 25 D C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 800 V CBO V Collector-Emitter Voltage 500 V CEO V Emitter-Base Voltage

 0.3. Size:201K  inchange semiconductor
 2sd544.pdf pdf_icon

2SD54

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD544 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0A CE(sat) C With TO-220C Package Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power ampli

Другие транзисторы: 2SD535, 2SD536, 2SD537, 2SD538, 2SD538A, 2SD539, 2SD539A, 2SD53A, 2SC2240, 2SD540, 2SD541, 2SD542, 2SD543, 2SD544, 2SD544-1, 2SD544-2, 2SD545