2SD545G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD545G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 320

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SD545G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD545G даташит

 8.1. Size:45K  sanyo
 2sd545.pdf pdf_icon

2SD545G

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
 2sd546.pdf pdf_icon

2SD545G

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD546 DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = 1A C Power Dissipation-P =30W @T = 25 D C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 800 V CBO V Collector-Emitter Voltage 500 V CEO V Emitter-Base Voltage

 9.2. Size:201K  inchange semiconductor
 2sd544.pdf pdf_icon

2SD545G

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD544 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0A CE(sat) C With TO-220C Package Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power ampli

Другие транзисторы: 2SD543, 2SD544, 2SD544-1, 2SD544-2, 2SD545, 2SD545D, 2SD545E, 2SD545F, S9018, 2SD546, 2SD547, 2SD548, 2SD549, 2SD55, 2SD550, 2SD551, 2SD552