2SD577. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD577

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 16 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD577

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD577 даташит

 ..1. Size:181K  inchange semiconductor
2sd577.pdfpdf_icon

2SD577

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD577 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:169K  nec
2sd571.pdfpdf_icon

2SD577

 9.2. Size:20K  no
2sd575.pdfpdf_icon

2SD577

 9.3. Size:217K  inchange semiconductor
2sd570.pdfpdf_icon

2SD577

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD570 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage V = 0.6V(Max.)@I = 2A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: 2SD571, 2SD572, 2SD573, 2SD574, 2SD574A, 2SD575, 2SD575L, 2SD576, 2SD718, 2SD578, 2SD578A, 2SD579, 2SD579A, 2SD58, 2SD580, 2SD581, 2SD581A